Tranzistora 13003 kontaktligzdas analogs. Tranzistora MJE13003 bipolārā zemfrekvences npn pamatparametri

Šajā lapā tiek rādīta esošā palīdzības informācija par bipolārā zemfrekvences npn tranzistora MJE13003 parametri. Sīkāka informācija ir sniegta par parametriem, ķēdi un kontaktu, raksturlielumiem, tirdzniecības vietām un ražotājiem. Šī tranzistora analogus var apskatīt atsevišķā lapā.

Sākotnējais pusvadītāju materiāls, no kura izgatavots tranzistors: silīcijs (Si)
Pusvadītāju savienojuma struktūra: npn

Ražotājs: MOTOROLA
Pielietojuma joma: Vidēja jauda, Augstspriegums, Vispārējs pielietojums
Popularitāte: 61513
Konvencijas ir aprakstītas lapā “Teorija”.

MJE13003 tranzistoru shēmas

Kontaktpersonas apzīmējums:
Starptautiskais: C - kolektors, B - bāze, E - emitētājs.
Krievu: K - savācējs, B - bāze, E - emitētājs.

Kolektīvs prāts. Papildinājumi tranzistoram MJE13003.

Vai jūs zināt vairāk par MJE13003 tranzistoru, nekā tas ir rakstīts atsauces grāmatā? Kopīgojiet savus datus ar citiem vietnes lietotājiem.

Citas direktorija sadaļas:

Cerams, ka tranzistoru uzziņu grāmata būs noderīga pieredzējušiem un iesācējiem radioamatieriem, dizaineriem un studentiem. Visiem tiem, kuri vienā vai otrā veidā saskaras ar nepieciešamību uzzināt vairāk par tranzistoru parametriem. Sīkāku informāciju par visām šī tiešsaistes direktorija iespējām var atrast lapā “Par vietni”.
Ja pamanāt kļūdu, lūdzu, dariet to.
Paldies par pacietību un sadarbību.

Sākotnējais pusvadītāju materiāls, no kura izgatavots tranzistors: silīcijs (Si)
Pusvadītāju savienojuma struktūra: npn

Ražotājs: MOTOROLA
Pielietojuma joma: Vidēja jauda, Augstspriegums, Vispārējs pielietojums
Popularitāte: 61514
Konvencijas ir aprakstītas lapā “Teorija”.

MJE13003 tranzistoru shēmas

Kontaktpersonas apzīmējums:
Starptautiskais: C - kolektors, B - bāze, E - emitētājs.
Krievu: K - savācējs, B - bāze, E - emitētājs.

Kolektīvs prāts. Papildinājumi tranzistoram MJE13003.

Vai jūs zināt vairāk par MJE13003 tranzistoru, nekā tas ir rakstīts atsauces grāmatā? Kopīgojiet savus datus ar citiem vietnes lietotājiem.

Citas direktorija sadaļas:

T tranzistori, silīcija n-p-n struktūras, augstsprieguma pastiprinātāji. Tranzistoru 13001 ražošana ir lokalizēta Dienvidaustrumāzijā un Indijā. Tos izmanto mazjaudas komutācijas barošanas blokos, dažādu mobilo tālruņu lādētājos, planšetdatoros u.c.

Uzmanību! Ar tuviem (gandrīz identiskiem) vispārīgiem parametriem dažādi ražotāji tranzistori 13001 can atšķiras pēc tapas atrašanās vietas.

Pieejams plastmasas korpusos TO-92 ar elastīgiem vadiem un TO-126 ar stingriem vadiem. Ierīces veids ir norādīts uz korpusa.
Zemāk esošajā attēlā ir parādīti dažādu ražotāju MJE13001 un 13001 tapas ar dažādiem korpusiem.

Svarīgākie parametri.

Strāvas pārvades koeficients 13001 var būt no 10 pirms tam 70 , atkarībā no burta.
Par MJE13001A - no 10 pirms tam 15 .
Par MJE13001B - no 15 pirms tam 20 .
MJE13001C - no 20 pirms tam 25 .
Par MJE13001D - no 25 pirms tam 30 .
Par MJE13001E - no 30 pirms tam 35 .
Par MJE13001F - no 35 pirms tam 40 .
Par MJE13001G - no 40 pirms tam 45 .
Par MJE13001H - no 45 pirms tam 50 .
Par MJE13001I - no 50 pirms tam 55 .
Par MJE13001J - no 55 pirms tam 60 .
Par MJE13001K - no 60 pirms tam 65 .
Par MJE13001L - no 65 pirms tam 70 .

Pašreizējā pārraides ierobežojuma frekvence - 8 MHz.

Maksimālais kolektora - emitētāja spriegums - 400 V.

Maksimālā kolektora strāva (konstante) - 200 mA.

Kolektora-emitera piesātinājuma spriegums pie kolektora strāvas 50mA, bāze 10mA - 0,5 V.

Bāzes-emitera piesātinājuma spriegums ar kolektora strāvu 50mA, bāzes strāvu 10mA - ne augstāku 1,2 V.

Kolektora jaudas izkliede- TO-92 korpusā - 0.75 W, korpusā TO-126 - 1.2 W bez radiatora.

Jebkuru šīs lapas materiālu izmantošana ir atļauta, ja ir saite uz vietni